第四百一十六章：轨道杂化-石墨烯带隙问题 (1 / 11)

        用于光蚀碳基芯片的光刻机组装完成，需要的基础材料也都有了，接下来要做什么自然不言而喻。

        直播间里面的绝大部分观众对后面的事情都很期待，希冀着碳基芯片的到来。

        至于为什么说是绝大部分而不是全部，那自然是群众间有坏人啊。

        .......

        模拟空间内，韩元在高标准的净洁无尘化学实验室中处理着制造碳基芯片用的石墨烯单晶晶圆材料。

        有了石墨烯单晶晶圆材料并不代表着碳基芯片就十拿九稳了。

        超高纯度的石墨烯单晶晶圆只是制造碳基芯片的最基础材料，除此之外,还有碳纳米管、高纯度碳化硅晶材这些都是需要附属上去的。

        就像硅基芯片的单晶硅一样，石墨烯单晶虽然性能优异，但因为本书属于单晶级材料，也是需要进行掺杂其他离子材料进行制造相应的P、N类半导体。

        这一步无论是在硅基芯片上还是碳基芯片上都必不可免。

        当然，给石墨烯单晶晶圆进行掺杂的手法和掺杂的离子材料和单晶硅肯定是不同的。

        碳和硅，这两种材料都属于碳族元素,而且两者最外层都有四个电子，两元素有着非常相似价层电子组态，区别在于内核的质子数与外层电子数不同。

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