第一百八十五章：N-漂移层 (6 / 7)

        至于稳定的方法，那就是通过高温进行退火处理。

        清洗干净的碳化硅晶材吹干后整齐的倒放在干燥的玻璃容器中，韩元从一旁的材料中翻出来一个透明塑料袋。

        里面是细细的黑色粉末，上面还有一个纸制标签，写着‘碳粉’两字。

        将袋子打开，里面碳粉取出来装入注入了铝离子的沟槽中，覆盖住整个沟槽。

        三十颗碳化硅晶材全都处理好后装入金属盘中，然后送入高温熔炉中。

        熔炉中的温度控制在一千一到一千四百度之间。

        这一步很重要，通过高温加碳粉在碳化硅晶材的N+漂移层上形成一道保护膜，可以稳定有效的控制住N-漂移层中的电子流失。

        高温退火的过程是三个小时左右。

        从太阳下山，一直到月亮升起，韩元才将熔炉中的碳化硅晶材拿出来，冷却后清理掉多余的碳粉。

        处理完成后的碳化硅晶材的N-漂移层再通过浓硫酸来清理掉顽固的碳渣。

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