第四百一十七章：碳基芯片的离子掺杂 (2 / 12)

        不仅需要数学基础，还需要物理基础。

        而且随着晶体场、配位场、分子轨道和前线分子轨道这些和轨道杂化有关的理论提出，一个深入学习轨道杂化技术的学者需要的学习的东西是其他化学课程的数倍以上。

        .......

        实验室中，韩元一边处理着手中的石墨烯单晶晶圆，一边讲解着通过‘轨道杂化技术’进行N/P极掺杂的注意事项。

        “石墨烯单晶材料制成的晶圆在处理手段上和单晶硅晶圆类似，都是通过离子注入手段往里面掺入对应的离子来制造不同的N/P极，进而改变搀杂区的导电方式，使每个晶体管可以通、断、或携带数据。”

        “当然，两者进行掺杂时，使用的离子是不同的。”

        “硅基芯片在进行离子掺杂时，常见的是磷和硼这两种离子，当然也有镓、砷、铝和其它一些元素。”

        “这需要根据芯片的不同用途，甚至蚀刻的电路图不同来进行选择。”

        “而碳基芯片使用的掺杂离子则非上述这些，它使用的是一种金属离子。”

        韩元顿了顿，看了眼摄像头吊了一下观众胃口，然后才接着道：

        “碳基芯片使用的掺杂离子是‘金属银离子’以及‘硅离子’。”

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