第四百零四章：将人类带向太空 (4 / 12)

        在同样纳米精度的条件下，碳基芯片远比硅基芯片更加优秀。

        根据IBM研究，10nm技术节点后碳纳米管芯片在性能和功耗方面都将比硅芯片有明显改善。

        从硅基7nm到5nm技术，芯片的运行速度大约提升了20%，而相比硅基7nm技术，碳纳米管基7nm技术的芯片运行速度理论上会提升300%。

        除了运行速度外，由石墨烯制造而成的碳基芯片在能耗、稳定性、尺寸等性能上也有更大的优势。

        众所周知，由硅材料制造而成的硅材晶体管在10nm以下便会失去一定的稳定性。

        也就是会出现量子遂穿导致的漏电和短沟道效应等问题，而这些问题会随着芯片纳米度的降低而提升。

        比如10纳米的时候，一万个电子走这条道通过，可能只有一个或者两个电子出现问题跑偏或。

        但到了5纳米的时候，一万个电子中可能就有三千个电子跑偏了。

        而到了两纳米的时候，一万个电子可能就有七千个电子跑偏了。

        再低，到了一纳米的时候，一万个电子可能就有九千个以上的电子跑偏了。

        相比于硅晶体管的不稳定性，石墨烯等碳晶体管优势在于其晶体管晶格高度稳定,即使在单碳原子厚度下还能稳定工作。

        内容未完，下一页继续阅读