第二百八十二章：最简单的保研方式是什么 (3 / 13)

        “等到温度提升到一定程度后，使用‘等热-离子掺杂法’在表面侵入一层离子镀层。”

        “这里可以使用离子注入机，对比‘离子掺杂发’来说效果会更好一点。”

        “因为高能离子注入机能将离子更深入的注入到氮化硅基底晶格里面去。”

        “而且相对来说，使用高能离子注入机注入离子层需要的时间更短一些，更适合批量生产。”

        “不过缺点也是有的，在使用高能离子注入机后，高速碰撞的离子会损坏氮化硅基底的晶格，需要进行一次氮化硅离子的填充补入。”

        “至于使用等热-离子掺杂法，耗时会长不少。”

        “处理一块氮化硅基底，如果说高能离子注入机启动后只需要三分钟的时间，那么使用‘等热-离子掺杂法’需要两个小时以上的时间。”

        “而且过程中必须有人时刻盯着离子溶液中的离子浓度指数，在降低到警戒线前必须立刻补充。”

        “至于优点也还是有的，‘等热-离子掺杂法’破坏氮化硅基底晶格系数低，不需要额外在进行一次补入氮化硅离子材料操作。”

        这一次韩元说的一番话，直播间里面的观众倒是有不少都听懂了。

        毕竟之前韩元用过不少次‘等热-离子掺杂法’了，而每一次使用，都会顺带讲解一下优缺点什么的。

        内容未完，下一页继续阅读