第二百八十六章：留给华国的第二个惊喜 (8 / 10)

        前面五个步骤耗时都比较短，但第六步让单晶硅在牺牲层上方形成是比较消耗时间的。

        按照他目前设置的牺牲层和需要生成的厚度，最少需要六个小时以上。

        需要生成的厚度越高，对应的时间也会越长。

        当然，这并不算‘化学气相沉积-硅核心外延法’的缺点，只能说是耗时较长而已。

        就算是单晶炉直拉法，冶炼出他需要的单晶硅，消耗的时间也需要五个小时以上。

        但别忘了，‘化学气相沉积-硅核心外延法’生成单晶硅是可以通过计算机进行批量控制生产的。

        特别是在第六步的时候，以硅烷气体为核心的外延法，只需要控制住硅烷气体的输入速度就可以了。

        这一步完全不需要人工看管。

        不过这是建立在有计算机智能程序看管的基础上，就韩元现在，他还是离不开人工看管。

        耗费了六个多小时，从下午忙碌到夜晚八点多，制备仪器中的单晶硅才延伸到他需要的厚度。

        内容未完，下一页继续阅读