第一百八十五章：N-漂移层 (2 / 7)

        比如玻璃容器中导电，在原本的离子掺杂中是没有这一个步骤的。

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        玻璃容器中，以稀硫酸和稀硝酸作为基地的溶液形成了电解液，溶液中的铝离子通过加热，通电，可以在碳化硅晶体上形成薄而相对均匀的掺杂层。

        掺杂出来的N-漂移层也能起到足够的作用，不过需要进行多次重复处理。

        尽管掺杂法需要多次电解掺杂和淬火，而且在均匀性和深度上远远无法和离子注入相比。

        但对于目前的他来说，这是最合适，也是最简单的办法了。

        随着酒精灯的不断加热，溶液中的水分被不断的蒸发掉，容器中的铝离子溶液也逐渐开始变得粘稠。

        等到溶液已经无法覆盖碳化硅晶体基底的时候，韩元断掉了电源，将玻璃容器中的碳化硅晶材取出来，又倒掉已经被电解过的铝离子溶液。

        碳化硅晶材清洗干净，然后吹干，重新刷上一层石蜡镀层，再次进行掺杂注入。

        按照标准流程，以他制造出来的铝离子溶液的浓度需要进行重复六次的掺杂注入才能在碳化硅晶体底层形成一层可用的N-漂移层。

        所以他还需要再重复五次掺杂注入，耗时最少要五个小时以上。

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