第一百八十四章：离子注入 (4 / 6)

        “哪怕是有专业的注入仪器，需要的电压强度一般也要达到350KeV，高的甚至要求700KeV以上。”

        “而且还需要达到一千两百度以上的高温。”

        “否则注入深度无法达到要求，无法形成稳定可用的N-漂移层。”

        “更关键是，相比较单纯的硅晶体，碳化硅晶体里面掺入了碳原子。”

        “而铝离子在通过强能量注入晶体中是还会破坏碳原子的分子键，从而导致成品出现瑕疵。”

        “离子注入制造碳化硅芯片的工艺太难，成本太高，这也是碳化硅晶体比单硅晶体更优秀却没有得到广泛应用到集成芯片上的原因之一。”

        “当然，大家如果对‘离子注入’这个名字很陌生的话，那换个名字，你们应该就很熟悉了。”

        他这样一说，直播间里面的观众顿时好奇了起来，纷纷询问是什么。

        看着弹幕，韩元笑了笑，接着道：

        “粒子加速器！”

        闻言，直播间里面顿时就热闹了起来。

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