第一百八十三章：制备碳化硅晶体管 (6 / 6)

        “而现在，我要来给主体来添加另外两层极点了。”

        “这次我制备的晶体管，从功能上来说，属于信号放大晶体管。”

        “所以我需要按照昨天讲解的方式，给他添上N-漂移层和P阱，来起到聚集电子和放大电信号的作用。”

        “至于材料，N-漂移层和昨天讲解一样，用的是铝，不过并非是简单的用铝包裹一层。”

        “而是需要将铝制备成铝离子，然后注入到上午侵蚀出来的沟槽中，从而形成稳定的N-漂移层。”

        “所以我现在需要先将铝离子制备出来。”

        一边讲解，韩元一边动手处理材料。

        铝离子的制备对已经掌握了初级化工应用知识信息的他来说很简单。

        用硫酸盐或者氯盐在强氧化剂的保护下就可以制备出来。

        而且制备出来的铝离子含量还相当高，足够他用来制造晶体管中的N-漂移层了。

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